第235章 參觀生產線（下）

 “當芯片加工製程進入到7nm的時候，如果只是單純的縮小晶體管尺寸，漏電量會大到難以承受。所以我推斷，在7nm工藝節點上，必須設計一種全新的晶體管結構，以降低量子隧穿效應，減少漏電。而現在主流的edA軟件中，均沒有引入這一設計，想要短期內設計出7nm芯片，基本沒有可能。”胡總也說出了他的推斷，這一點和現實情況基本相符。 

 為了解決7nm以下晶體管漏電問題，全球各家頂尖芯片研發實驗室、晶圓代工廠，提出了多種不同的解決方案，其中比較經典的是finfet（fin field-effect transistor），中文名稱為鰭式場效應晶體管。使用這種全新的架構可以有效的降低晶體管電極之間的漏電現象，將芯片製程推進到3nm，甚至2nm的程度。當然這些都是十年後的研發進展，在12年的當下，finfet還只是一種理論猜想，即使個別團隊做出了這種結構的晶體管，也僅限於實驗室，並沒有應用到實際的芯片生產上。 

 “不知道你們有沒有聽說過finfet工藝，它可以極大的增加單位尺寸的晶體管密度，並有效降低晶體管漏電。這條芯片生產線上現在正在生產的內存芯片，就是基於finfet技術設計的，生產出來的內存顆粒，發熱量極小，超頻性能極其優秀。”喬瑞達從兜裡拿出一枚指甲蓋大小的內存顆粒，展示給現場的眾人。 

 胡總從喬瑞達手中接過內存顆粒，饒有興趣的觀看著，“2g Lpddr3，如此小的一顆內存顆粒，竟然有2g大小，7nm製程工藝真是利害。這個finfet我聽說過，國外有個別芯片實驗室，已經在晶圓上加工出了這種鰭式場效應晶體管，參數確實非常的優秀，可以在一定程度解決晶體管漏電問題。只是我還未聽說過，任何一家晶圓廠，將finfet技術應用在芯片的實際生產中，你們是如何做到的。” 

 “這個就說來話長了，早在拿到這臺euv光刻機的時候，我們瑞達科技就著手研究7nm芯片的生產技術。為了解決晶體管漏電難題，我們設計了一款全新的finfet架構，並申請了專利。這款內存芯片，就是基於這個專利設計出來的。目前我們瑞達科技研發部，正在編寫一款純國產的edA軟件，其中就包括了7nm，甚至5nm芯片的設計功能。等到edA軟件編寫完成，我可以免費授權給你們使用，咱們共同開發，共同改進，爭取做出一款適合國人使用的edA軟件。”